NEC開發90奈米製程系統LSI設計基礎
主題作者：Chine

「CB-90」採用由日本半導體業者共同出資設立的「STAR」與「ASPLA」之製程基準為基礎，配合NEC自有的IP資產，希望能以成本相對低廉的高精密製程，提升系統LSI開發速度。設計方式則採用C語言。

「CB-90」計有三種library，分別為適合高速動作的「CB-90H」、適合高密度的「CB-90M」，以及低耗電量的「CB-90L」，以滿足不同應用領域的需求。