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根據Electronic News報導，Texas Instruments宣佈該公司下一代記憶體選擇支持ferroelectric RAM （FRAM）。該公司已透過標準0.13微米銅製程生產了64Mbit測試晶片，未來將利用FRAM作為嵌入式快閃記憶體與嵌入式DRAM一項得以節省成本的替代方案。TI表示FRAM計畫是該公司在去年8月與Ramtron International公司簽下數百萬美元授權與開發協議下的產品。FRAM可嵌入微處理器、週邊設備與其他元件的晶片中，能夠降低系統的複雜性，增加系統的功能與資料的安全性。FRAM潛在的市場包括寬頻連線、消費性電子與可程式DSP等。目前電腦業對下一代記憶體的標準尚未有共識，Infineon、IBM、Motorola與Philips支持magnetic RAM（MRAM），Intel尚未明確決定。

編輯訊息 編輯 發表時間 2002/11/13 10:52:58 會員IP IP: 已設為保密
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